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晶体管
APTGT75A60T1G参考图片

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APTGT75A60T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,026(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥352.9216
352.9216
5
¥342.2431
1711.2155
10
¥332.1748
3321.748
25
¥311.428
7785.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
SP-1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
11.5 mm
长度
51.6 mm
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
宽度
40.8 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGT75A60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:63097
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥283.0763
5:¥272.0136
10:¥261.7984
25:¥240.5883
参考库存:4209
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-3
1:¥4.2262
10:¥2.3843
100:¥1.2882
500:¥1.02152
3,000:¥0.66105
6,000:查看
参考库存:25001
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:15603
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:15730
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