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晶体管

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FS25R12W1T4

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库存:3,521(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥276.4658
276.4658
5
¥273.6295
1368.1475
10
¥255.0297
2550.297
25
¥243.5828
6089.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS25R12W1T4BOMA1 SP000255353
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS25R12W1T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥4.8364
10:¥4.0341
100:¥2.6103
1,000:¥2.0792
参考库存:10339
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
暂无价格
参考库存:28312
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,500:¥3.7064
9,000:查看
参考库存:176346
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
参考库存:6098
晶体管
MOSFET 20 V, P-channel Trench MOSFET
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
10,000:¥0.66896
20,000:查看
参考库存:53625
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