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晶体管
FDD13AN06A0参考图片

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FDD13AN06A0

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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2207
722.07
500
¥6.3845
3192.25
1,000
¥5.0398
5039.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD13AN06A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
77 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
FDD13AN06A0_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD13AN06A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
1:¥3.0736
10:¥2.5651
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:93927
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
1,000:¥3.7516
3,000:¥3.3222
参考库存:14954
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥10.9836
参考库存:9351
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
1,500:¥12.8368
4,500:查看
参考库存:11953
晶体管
IGBT 模块
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.6236
参考库存:4505
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