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晶体管
BSZ100N06NSATMA1参考图片

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BSZ100N06NSATMA1

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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.5144
55.144
100
¥3.5595
355.95
1,000
¥2.8476
2847.6
5,000
¥2.4069
12034.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSZ100N06NS SP001067006
单位重量
156 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ100N06NSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMST3904 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 200mA NPN
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.99101
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:11153
JAN2N2605
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥164.2116
250:¥150.6855
500:¥143.4648
参考库存:35210
2N2919U/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥336.2541
200:¥313.8123
参考库存:35215
JANS2N2219A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥595.9733
100:¥583.4416
参考库存:35220
2N5795/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥259.335
200:¥242.046
参考库存:35225
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