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晶体管

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VS-GB50TP120N

  • Vishay Semiconductors
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
446 W
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB50TP120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
1:¥8.2264
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
4,000:¥3.3222
8,000:查看
参考库存:27864
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:25881
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
1,500:¥1.8758
参考库存:31153
晶体管
MOSFET 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
500:¥13.0628
800:¥13.0628
参考库存:4035
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.7578
500:¥13.2888
800:¥13.2888
参考库存:9207
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