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晶体管
NGTB40N60L2WG参考图片

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NGTB40N60L2WG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V/40A FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥46.104
46.104
10
¥39.1884
391.884
100
¥33.9678
3396.78
250
¥32.2728
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
417 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N60L2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
800:¥8.5315
参考库存:4746
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:50153
晶体管
MOSFET TO-220 N-CH ENHANCE
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.9049
500:¥16.9839
参考库存:6465
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:25717
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥14.8256
10:¥12.2944
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.9043
参考库存:3524
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