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晶体管
STGW25M120DF3参考图片

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STGW25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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数量单价合计
1
¥65.7773
65.7773
10
¥59.4719
594.719
25
¥56.7034
1417.585
100
¥49.1776
4917.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Hfe 120-240
1:¥3.2996
10:¥2.9945
100:¥1.9775
1,000:¥0.66105
4,000:¥0.54579
8,000:查看
参考库存:37116
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
500:¥16.0573
参考库存:3533
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:22920
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.3732
10:¥5.3336
100:¥3.4465
1,000:¥2.7572
5,000:¥2.7572
参考库存:48942
晶体管
MOSFET P-channel -30 V, 0.01 Ohm typ., -12.5 A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
2,500:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:14179
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