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晶体管
NTMFS4C09NT1G参考图片

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NTMFS4C09NT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.8419
184.19
1,000
¥1.4238
1423.8
1,500
¥1.2091
1813.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NTMFS4C09N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,NTMFS4C09NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥388.7313
5:¥380.0529
10:¥362.6848
参考库存:33834
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥27.1991
10:¥24.2837
25:¥21.8203
50:¥20.905
参考库存:33839
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥174.4268
5:¥166.5846
10:¥161.364
25:¥148.3012
参考库存:33844
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:33849
D3
晶体管
MOSFET 280 mOhm 650V
1:¥12.5995
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
800:¥5.8986
参考库存:33854
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