您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
TPN4R203NC,L1Q参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

TPN4R203NC,L1Q

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:25,361(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.441
64.41
100
¥4.9381
493.81
500
¥4.3731
2186.55
5,000
¥3.0623
15311.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
22 W
配置
Single
商标名
UMOSVIII
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN4R203NC
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,TPN4R203NC,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 DUL BRT TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.73789
24,000:查看
参考库存:44020
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:34222
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN power transistor
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
参考库存:9449
晶体管
MOSFET 30V SGL P-CH HEXFET Pwr MOSFET
1:¥5.2997
10:¥4.4409
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
4,000:¥2.2939
参考库存:6836
晶体管
MOSFET FET ENGR DEV-NOT REL
1:¥29.7416
10:¥25.2781
100:¥21.8994
250:¥20.8259
3,000:¥14.9047
6,000:查看
参考库存:18978
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号