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晶体管
SQJ474EP-T1_GE3参考图片

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SQJ474EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.7517
57.517
100
¥4.4183
441.83
500
¥3.8081
1904.05
1,000
¥2.9945
2994.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ474EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC856BW-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-323
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:101793
DRA3144V0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.3787
10:¥1.6385
100:¥1.12209
500:¥0.92208
10,000:¥0.52997
参考库存:52530
RN2402,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:39682
FJN4305RTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:70214
2N4861
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.5978
10:¥75.0772
100:¥62.3195
500:¥56.7825
参考库存:2836
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