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BD912

  • STMicroelectronics
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose
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数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.9495
694.95
500
¥6.1359
3067.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
15 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD912
直流电流增益 hFE 最大值
150
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.6 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
90 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，BD912的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TN0106N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 3Ohm
1:¥5.763
10:¥5.6952
25:¥4.8251
100:¥4.3505
参考库存:7751
2SA1036KT146Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 0.5A
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:13188
DMA261040R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:17140
MMBT3906FZ-7B
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,500:¥1.03734
10,000:¥1.03734
参考库存:20382
DMB54D0UDW-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET PNP/NMOS
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:17384
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