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晶体管
NGB8206ANSL3G参考图片

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NGB8206ANSL3G

  • Littelfuse
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  • IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL
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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.4525
104.525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
390 V
栅极/发射极最大电压
15 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGB8206A
封装
Tube
商标
Littelfuse
栅极—射极漏泄电流
350 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NGB8206ANSL3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:16168
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.61472
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32996
参考库存:90070
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
2,500:¥8.5315
5,000:查看
参考库存:13842
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 1kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:31009
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:2711
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