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晶体管
FZT857TA参考图片

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FZT857TA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.633
463.3
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
345 mV
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT857
直流电流增益 hFE 最大值
100
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 2 A, 10 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FZT857TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,387.9564
10:¥1,273.623
25:¥1,142.995
50:¥1,012.367
参考库存:1027
晶体管
IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
参考库存:1579
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
1:¥38.8042
10:¥32.1146
100:¥26.4307
250:¥25.5832
3,000:¥18.3625
参考库存:1116
晶体管
MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥15.2098
500:¥13.2888
3,000:¥10.2152
6,000:查看
参考库存:1068
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-723 50V VCC 0.1A IC
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
2,500:¥0.27685
8,000:¥0.23843
参考库存:35380
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