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晶体管
SQJ570EP-T1_GE3参考图片

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SQJ570EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.7631
77.631
100
¥6.3506
635.06
500
¥4.972
2486
3,000
¥3.616
10848
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A, 9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms, 146 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC, 12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W, 27 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S, 7 S
下降时间
17 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 12 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ570EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFD5C650NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1,500:¥13.447
4,500:¥12.9046
参考库存:10218
PXFC191507FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:47671
SI7862ADP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
1:¥35.3464
10:¥29.2783
100:¥24.1255
250:¥23.3571
500:¥20.9728
3,000:¥20.9728
参考库存:17725
TSM70NB1R4CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:47678
PTAC260302FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥500.5335
参考库存:47683
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