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晶体管
CSD19506KCS参考图片

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CSD19506KCS

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 80V N-CH Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥33.5836
33.5836
10
¥30.1936
301.936
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.1311
5782.775
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19506KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
297 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CSD19506KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RAQ045P01TCR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
参考库存:20053
NTJS4405NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 25V 1.2A N-Channel
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:13430
DMG3418L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:35547
2DB1424R-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -20V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:27144
2N7000BU
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
1:¥2.9945
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.65314
参考库存:35076
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