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晶体管
NVD5865NLT4G参考图片

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NVD5865NLT4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3562
53.562
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
2,500
¥2.3391
5847.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVD5865NL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
4.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
8.4 ns
零件号别名
SVD5865NLT4G
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，NVD5865NLT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA102001EA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:53707
SI3434-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET N-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
45,000:查看
参考库存:53712
HGTG5N120BND
ON Semiconductor / Fairchild
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450:¥14.4414
900:¥12.9837
参考库存:53717
2SK3482-AZ
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.752
25:¥10.5316
100:¥9.4468
参考库存:53722
SI6413DQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V
3,000:¥7.1642
6,000:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:53727
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