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晶体管
IPI040N06N3GXKSA1参考图片

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IPI040N06N3GXKSA1

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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.831
98.31
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.893
3446.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
G IPI040N06N3 IPI4N6N3GXK SP000680656
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IPI040N06N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:53824
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥676.192
5:¥663.7394
10:¥633.8509
25:¥612.7199
参考库存:1306
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:12793
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:46735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥168.822
5:¥161.2058
10:¥156.2112
25:¥143.5326
参考库存:2155
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