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晶体管
NGTB40N120IHRWG参考图片

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NGTB40N120IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 1200V/40A RC IGBT FSII
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数量单价合计
1
¥38.0358
38.0358
10
¥32.3519
323.519
100
¥28.0466
2804.66
250
¥26.5889
6647.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
384 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB40N120IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB40N120IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CH TRENCH
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:134859
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
1:¥21.7412
10:¥17.9783
100:¥14.8256
参考库存:9991
晶体管
MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥1.00683
参考库存:155663
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2094
参考库存:12150
晶体管
MOSFET N-CH 800V HEXFET MOSFET
1:¥13.8312
10:¥12.0684
100:¥10.8367
500:¥8.3733
1,000:¥6.9947
参考库存:11087
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