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晶体管
CSD19503KCS参考图片

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CSD19503KCS

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0399
3519.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19503KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CSD19503KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4923
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Power
1:¥11.3678
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥7.1077
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2DB1713-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VSAT PNP SMT 2.5K
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:45890
RSJ400N10TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
1,000:¥12.9046
2,000:查看
参考库存:2362
RQ3E130BNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:12574
CMKT3946 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual - NPN/PNP Switching
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8871
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:9361
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