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晶体管
STGWT20H60DF参考图片

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STGWT20H60DF

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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库存:7,677(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.8314
1783.14
250
¥16.9048
4226.2
500
¥15.142
7571
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGWT20H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:3788
晶体管
MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:14945
晶体管
IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥46.9515
10:¥42.4202
25:¥40.4992
100:¥35.1204
参考库存:6012
晶体管
MOSFET PCH 0.9V DRIVE SERIES
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3108
9,000:¥1.2995
参考库存:89824
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥17.515
10:¥14.5996
100:¥11.30
500:¥9.9101
800:¥8.2264
参考库存:5411
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