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晶体管
IRFH8325TRPBF参考图片

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IRFH8325TRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.8984
1898.4
4,000
¥1.6159
6463.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
82 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
74 S
下降时间
7.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001566798
商品其它信息
优势价格，IRFH8325TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC338-40 A1
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.695
100:¥1.08367
1,000:¥0.3616
4,000:¥0.29945
8,000:查看
参考库存:46715
BC817-25W RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:38514
2N6383
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥493.2337
2:¥484.1711
5:¥478.7132
10:¥464.1927
参考库存:38519
BC 847CW H6778
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:38524
R6015FNJTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Power MOSFET
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:38529
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