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晶体管
DSS4160DS-7参考图片

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DSS4160DS-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.5029
150.29
1,000
¥1.13
1130
3,000
¥0.97632
2928.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
60 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
220 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DSS41
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 1 mA, 5 V
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
15 mg
商品其它信息
优势价格,DSS4160DS-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2885
2,000:¥6.1811
4,000:查看
参考库存:11675
晶体管
MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
2,500:¥4.7234
参考库存:2572
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS3 Trench IGBT
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
参考库存:5259
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
1,700:¥19.5942
3,400:查看
参考库存:4586
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
3,000:¥8.9157
6,000:查看
参考库存:17408
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