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晶体管
DMB53D0UV-7参考图片

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DMB53D0UV-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
160 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMB53D
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
180 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,DMB53D0UV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6106
500:¥7.5823
2,500:¥5.8534
5,000:查看
参考库存:21865
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.4015
500:¥6.5427
2,500:¥4.5765
10,000:查看
参考库存:28327
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
1:¥5.6048
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8871
参考库存:21784
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:5121
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -21A 117mOhm 64.7nCAC
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.2094
参考库存:9063
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