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晶体管
SBC856BWT1G参考图片

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SBC856BWT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 65V
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.0679
20.679
100
¥0.88366
88.366
1,000
¥0.68365
683.65
3,000
¥0.51528
1545.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 65 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.65 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC856BW
直流电流增益 hFE 最大值
475
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
220
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格，SBC856BWT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3017SFK-13
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暂无价格
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100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
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参考库存:23370
RN1109,LF(CT
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:23375
ADTA113ZCAQ-7
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:23380
SBCW30LT1G
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON TRANSISTOR PLAST
1:¥3.0736
10:¥2.0114
100:¥0.86784
1,000:¥0.66896
3,000:¥0.50737
参考库存:47977
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