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晶体管
APT150GT120JR参考图片

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APT150GT120JR

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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数量单价合计
1
¥405.105
405.105
2
¥394.1101
788.2202
5
¥383.2056
1916.028
10
¥372.2898
3722.898
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
900 nA
Pd-功率耗散
830 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT150GT120JR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C645NLWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V SO8FL
1,500:¥3.6612
9,000:¥3.5256
24,000:¥3.4239
参考库存:26430
RJK6006DPP-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET, 600V, TO-220FP, Pb Free
1:¥52.4772
10:¥46.7933
25:¥42.1038
50:¥40.2619
参考库存:26435
SSM6J206FE,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET SS FET P-Ch 0.32Ohm -2A -8V
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:26440
SIHF9630S-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥13.221
10:¥10.9158
100:¥8.3733
500:¥7.1642
参考库存:26445
TDTA124E,LM
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V 22KOhm / 22KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:26450
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