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晶体管
TDTA124E,LM参考图片

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TDTA124E,LM

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库存:26,450(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.4577
1.4577
10
¥1.1865
11.865
100
¥0.42262
42.262
1,000
¥0.29154
291.54
3,000
¥0.2147
644.1
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
22 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
320 mW
系列
TDTA124E
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Toshiba
通道模式
Enhancement
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TDTA124E,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:116035
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2659
800:¥5.7404
参考库存:12522
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
参考库存:9369
晶体管
MOSFET N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:29561
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 100A
1:¥1,348.7002
5:¥1,316.2692
10:¥1,283.6122
25:¥1,265.6339
参考库存:4343
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