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晶体管
FDP86363-F085参考图片

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FDP86363-F085

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数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
131 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP86363_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
129 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
38 ns
零件号别名
FDP86363_F085
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP86363-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V PNP
1:¥1.1526
10:¥0.9831
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:132547
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双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:10029
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pr Amp
1:¥4.5313
10:¥3.9324
100:¥2.7233
1,000:¥2.034
参考库存:39906
晶体管
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1:¥77.7666
10:¥70.3086
25:¥67.009
100:¥58.2402
参考库存:4853
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 65 mo FET
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.6272
参考库存:5105
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