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晶体管
SIHL630STRL-GE3参考图片

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SIHL630STRL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.3845
638.45
500
¥5.4918
2745.9
800
¥4.3392
3471.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SIH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.8 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
57 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格，SIHL630STRL-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMST3904-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:31134
DMN61D9UWQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
参考库存:37306
PBSS4041PX,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -60V -5A 600mW 110MHz
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:27308
BSM100GB120DN2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
1:¥1,120.2481
5:¥1,098.2696
10:¥1,047.0241
25:¥1,025.0456
参考库存:7350
DCX142TU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:29815
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