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晶体管
STB55NF06T4参考图片

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STB55NF06T4

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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.8366
883.66
500
¥7.684
3842
1,000
¥6.3619
6361.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB55NF06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB55NF06T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
1:¥7.458
10:¥6.3732
100:¥4.8929
500:¥4.3279
1,000:¥3.4126
2,000:¥3.4126
参考库存:23124
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.30
1,000:¥9.379
参考库存:6436
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:83818
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥7.3789
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
3,000:¥2.6781
6,000:查看
参考库存:33430
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 30V
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
2,000:¥0.43053
参考库存:89862
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