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IKD15N60RAATMA1

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数量单价合计
2,500
¥9.2999
23249.75
5,000
¥8.9948
44974
10,000
¥8.6106
86106
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD15N60RA SP000718888
商品其它信息
优势价格，IKD15N60RAATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BD17910STU
ON Semiconductor / Fairchild
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1:¥7.0738
10:¥5.876
100:¥3.7968
1,000:¥3.0397
参考库存:34863
DCP69A-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -20V
2,500:¥1.00683
参考库存:139560
TIP30CTU
ON Semiconductor / Fairchild
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
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JAN2N2219A
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥104.5815
10:¥95.0556
25:¥87.9027
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NVMFS5C450NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 110A
1:¥6.4523
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
1,500:¥2.6442
9,000:查看
参考库存:57161
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