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晶体管
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BSZ110N06NS3 G

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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0624
50.624
100
¥3.2657
326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
5,000
¥2.2035
11017.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
77 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ11N6NS3GXT SP000453676
单位重量
91 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ110N06NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STB60NF06T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.4919
1,000:¥6.2037
参考库存:8851
PUMH30,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:18608
MUN2135T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:167775
TP89R103NL,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V
1:¥5.4579
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥1.8193
参考库存:7302
IRLR3103TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
1:¥8.6106
10:¥7.3676
100:¥5.6613
500:¥5.0059
1,000:¥3.955
2,000:¥3.955
参考库存:6324
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