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晶体管
NTF2955T1G参考图片

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NTF2955T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET -60V 2.6A P-Channel
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.3901
53.901
100
¥3.4691
346.91
1,000
¥2.7798
2779.8
2,000
¥2.3504
4700.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
185 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
系列
NTF2955
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.77 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
250 mg
商品其它信息
优势价格，NTF2955T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKW15N120BH6XKSA1
Infineon Technologies
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1:¥40.567
10:¥34.4989
100:¥29.8885
250:¥28.3517
500:¥25.5154
参考库存:4172
FZT857TA
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:43704
BUK765R0-100E,118
Nexperia
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1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
800:¥9.9101
参考库存:25911
IKB20N65EH5ATMA1
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IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
1:¥22.9729
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
3,000:¥11.526
5,000:查看
参考库存:6813
2N7000TA
ON Semiconductor
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MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
1:¥2.9945
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.65314
2,000:¥0.49155
参考库存:425605
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