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晶体管
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FCH041N60E

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数量单价合计
1
¥64.6247
64.6247
10
¥58.3984
583.984
25
¥55.6299
1390.7475
100
¥48.3301
4833.01
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
77 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
285 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
592 W
配置
Single
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FCH041N60E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
71 S
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
320 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
6.390 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMN48XPAX
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:27454
PUMX2,125
Nexperia
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3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
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1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:27464
2PB1219AR,135
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10,000:¥0.26103
20,000:¥0.24634
50,000:¥0.23052
100,000:¥0.20001
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双极晶体管 - 预偏置 PIMN31/SC-74/REEL 13" Q1/T1 *S
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
10,000:¥0.66896
20,000:查看
参考库存:27474
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