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晶体管
SPA06N80C3XKSA1参考图片

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SPA06N80C3XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9893
119.893
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.3733
4186.65
1,000
¥6.9608
6960.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
780 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000216302 SPA06N80C3 SPA6N8C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPA06N80C3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGLQ100A120TG
Microsemi
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IGBT 模块
100:¥590.9787
参考库存:50249
IPB100N04S2L03ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1,000:¥10.9158
2,000:¥10.2152
5,000:¥9.831
参考库存:50254
TSM70N750CH C5G
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15,000:¥4.7121
参考库存:50259
PD55008L-E
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
3,000:¥62.1613
参考库存:50264
SPI07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 7.3A I2PAK-3
500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
2,500:¥7.7631
5,000:¥7.5145
参考库存:50269
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