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晶体管
IKW25T120FKSA1参考图片

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IKW25T120FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
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数量单价合计
1
¥51.4037
51.4037
10
¥46.4882
464.882
25
¥44.3412
1108.53
100
¥38.4991
3849.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
190 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW25T120 IKW25T12XK SP000013939
单位重量
5 g
商品其它信息
优势价格,IKW25T120FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
500:¥15.142
参考库存:7677
晶体管
MOSFET 250V Vds 20V Vgs TO-263
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.142
800:¥11.4469
2,400:查看
参考库存:16679
晶体管
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥3.0736
10:¥1.7289
100:¥0.92208
500:¥0.77631
3,000:¥0.43053
9,000:查看
参考库存:79681
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45V
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
3,000:¥0.49946
参考库存:129348
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:34670
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