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晶体管
SIA421DJ-T1-GE3参考图片

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SIA421DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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库存:77,321(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.4184
64.184
100
¥4.9268
492.68
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SIA421DJ-GE3
商品其它信息
优势价格,SIA421DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4749
500:¥5.7178
1,000:¥4.5087
参考库存:6074
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
参考库存:6116
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 200MA 15V
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:81058
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:44100
晶体管
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9495
参考库存:3247
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