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晶体管
BD13916STU参考图片

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BD13916STU

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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.0849
30.849
100
¥1.8871
188.71
1,000
¥1.4577
1457.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD139
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
1.5 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD13916STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD13916STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 500mA N-Channel
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.3616
参考库存:1832588
晶体管
达林顿晶体管 15A 200V Bipolar Power NPN
1:¥26.8149
10:¥22.826
100:¥19.7524
250:¥18.7467
500:¥16.8257
参考库存:7245
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
1:¥65.7773
10:¥59.4719
25:¥56.7034
100:¥49.1776
参考库存:5902
晶体管
MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:3104
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF Amp
1:¥38.3409
10:¥34.1938
100:¥31.1993
250:¥28.1257
参考库存:6541
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