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晶体管
IPP039N04L G参考图片

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IPP039N04L G

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数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1132
4113.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP039N04LGXKSA1 IPP39N4LGXK SP000680782
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP039N04L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:36486
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:43988
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW
1:¥175.5003
10:¥149.2278
100:¥138.6171
250:¥127.1702
参考库存:6495
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:26900
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥6.8365
10:¥5.6048
100:¥4.3053
500:¥3.7064
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:22172
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