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晶体管
RU1J002YNTCL参考图片

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RU1J002YNTCL

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 0.9V Drive Nch MOSFET
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库存:444,679(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.05316
10.5316
100
¥0.43844
43.844
1,000
¥0.29945
299.45
3,000
¥0.23843
715.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323FL-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RU1J002YN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
200 ms
下降时间
43 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
RU1J002YN
商品其它信息
优势价格,RU1J002YNTCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1755
500:¥6.3393
2,500:¥6.3393
参考库存:21322
晶体管
MOSFET 30V P-CH ENHANCEMENT 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:4389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 40V
1:¥4.9946
10:¥3.8646
100:¥3.3787
250:¥2.938
参考库存:8886
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT
1:¥46.33
10:¥41.8778
25:¥39.9568
100:¥34.6571
参考库存:23073
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥15.2098
10:¥12.5995
100:¥9.7632
500:¥8.5315
3,000:¥8.5315
参考库存:49655
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