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晶体管
2N6111G参考图片

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2N6111G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 7A 30V 40W PNP
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.6274
56.274
100
¥3.6273
362.73
1,000
¥2.9041
2904.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
3.5 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6111
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
封装
Tube
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
40 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,2N6111G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D3
晶体管
MOSFET 80 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-247
600:¥20.2044
1,020:¥17.063
2,520:¥16.2155
5,010:¥15.594
参考库存:50779
晶体管
MOSFET 700V, 8A, 0.6 N Channel Power Mosfet
4,000:¥6.78
10,000:¥6.6444
参考库存:50784
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 22A
2,500:¥3.9211
10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
参考库存:50789
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:50794
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo Trans 45Vce 5.0Vebo 100mA
18,000:¥0.40002
24,000:¥0.36838
45,000:¥0.32996
99,000:¥0.31527
参考库存:935848
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