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晶体管
AUIRF2804S-7P参考图片

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AUIRF2804S-7P

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
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数量单价合计
1
¥32.2728
32.2728
10
¥27.4364
274.364
100
¥23.8204
2382.04
250
¥22.5887
5647.175
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
320 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
220 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001521640
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，AUIRF2804S-7P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC027N04LS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
5,000:¥5.8534
参考库存:125902
DMN3026LVTQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:19199
PMZ950UPELYL
Nexperia
晶体管
MOSFET PMZ950UPEL/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.52206
20,000:查看
参考库存:35166
TK290P60Y,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
1:¥12.3735
10:¥9.9101
100:¥8.6784
500:¥6.7122
2,000:¥4.7008
10,000:查看
参考库存:34003
SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.8817
500:¥5.3788
3,000:¥3.8985
6,000:查看
参考库存:20560
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