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晶体管
STF6N62K3参考图片

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STF6N62K3

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.8422
3921.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.28 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
STF6N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF6N62K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF600R12IP4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,400.5542
5:¥3,195.6174
参考库存:7381
MMSTA56T146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80V 500MA
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:39065
BCX71JE6433HTMA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:39070
DTA114YUBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:39075
NVMFS5832NLT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
5,000:¥4.181
10,000:¥4.0228
参考库存:39080
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