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晶体管
SIHG47N60E-GE3参考图片

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SIHG47N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.3932
673.932
25
¥61.3929
1534.8225
100
¥55.4039
5540.39
250
¥50.9404
12735.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
148 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
82 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
72 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG47N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DSS5240TQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm
1:¥2.9154
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:16158
TK39N60W5,S1VF
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥71.6872
10:¥64.5456
25:¥58.7826
50:¥57.3249
参考库存:15970
STGW10M65DF2
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:8602
IPP120N20NFDAKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3
1:¥46.6464
10:¥39.6517
100:¥34.352
250:¥32.5779
参考库存:23109
EMB51T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:42106
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