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晶体管
FDD6030L参考图片

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FDD6030L

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.4015
740.15
500
¥6.5427
3271.35
1,000
¥5.1641
5164.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
56 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6030L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
FDD6030L_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD6030L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx0ohms
暂无价格
参考库存:38298
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥94.7392
250:¥86.3659
500:¥80.8402
1,000:¥74.1506
参考库存:38303
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥85.3715
250:¥77.8344
500:¥72.8398
1,000:¥66.8508
参考库存:38308
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥126.4018
250:¥115.26
500:¥107.802
参考库存:38313
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans
暂无价格
参考库存:38318
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