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晶体管
NSV1C200LT1G参考图片

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NSV1C200LT1G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4239
34.239
100
¥2.0905
209.05
1,000
¥1.6159
1615.9
3,000
¥1.3786
4135.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 100 V
集电极—基极电压 VCBO
- 140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 950 mV
最大直流电集电极电流
- 3 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS1C200L
直流电流增益 hFE 最大值
360 at - 500 mA, - 2 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
490 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,NSV1C200LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
1:¥24.8148
10:¥22.2045
100:¥20.2044
250:¥18.2156
参考库存:5841
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:7093
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥272.556
5:¥260.3294
10:¥252.1934
25:¥231.7517
参考库存:4330
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 30MA
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:48262
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A FAST IGBT FSII T
1:¥40.341
10:¥34.2729
100:¥29.7416
250:¥28.2048
参考库存:5129
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