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晶体管
STP18NM60N参考图片

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STP18NM60N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
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库存:11,370(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.7632
4881.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP18NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP18NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥196.6313
5:¥187.7947
10:¥181.9526
25:¥167.2061
参考库存:5905
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥8.2264
10:¥7.0173
100:¥5.3901
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
2,500:¥3.5934
参考库存:5632
晶体管
MOSFET 200V Vds, 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥7.6049
10:¥6.3506
100:¥5.6274
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
2,000:¥3.1527
参考库存:50859
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥9.605
10:¥7.7631
100:¥6.8365
500:¥5.3675
1,000:¥4.2827
参考库存:41666
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥8.2942
10:¥7.0286
100:¥5.4014
500:¥4.7686
1,000:¥3.7629
2,500:¥3.7629
参考库存:17658
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