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晶体管
STW26NM60N参考图片

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STW26NM60N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
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库存:5,493(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.4093
50.4093
10
¥42.8044
428.044
100
¥37.1092
3710.92
250
¥35.1882
8797.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW26NM60N
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
Power MOSFET
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW26NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
1:¥30.736
10:¥25.5154
100:¥20.9728
250:¥20.2835
参考库存:4284
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30V 200MA
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.88366
参考库存:17931
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power
1:¥92.208
10:¥91.2814
25:¥84.4449
100:¥77.5293
参考库存:3463
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:43155
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥2.8476
10:¥1.8419
100:¥0.86106
500:¥0.65314
3,000:¥0.40002
9,000:查看
参考库存:32757
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