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产品分类

晶体管
IPAN70R600P7SXKSA1参考图片

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IPAN70R600P7SXKSA1

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库存:7,136(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0681
60.681
100
¥4.6556
465.56
500
¥4.1132
2056.6
1,000
¥3.2544
3254.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
490 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
24.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPAN70R600P7S SP001682068
商品其它信息
优势价格,IPAN70R600P7SXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥19.9784
10:¥16.2155
100:¥14.8256
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:18182
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥4.4522
10:¥2.9945
100:¥2.034
500:¥1.6272
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.13
参考库存:68109
晶体管
MOSFET 700V 8A N-Channel Power MOSFET,
1:¥17.2099
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥9.7632
参考库存:11336
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
2,500:¥12.5204
5,000:查看
参考库存:25813
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.4975
500:¥5.7517
800:¥4.5426
参考库存:23425
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