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晶体管
CSD75207W15参考图片

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CSD75207W15

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.2262
42.262
100
¥2.7007
270.07
1,000
¥2.1696
2169.6
3,000
¥1.8306
5491.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-9
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD75207W15
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
6.2 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.1 ns
典型接通延迟时间
12.8 ns
单位重量
2.500 mg
商品其它信息
优势价格，CSD75207W15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NIC9N05ATS1
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 9 A 52 V N-CHANNEL DIE
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:24914
ULQ2003ATDG4Q1
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Darl Trans Arrays
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:24919
DDA142TH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:17421
DMN6075S-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
10,000:¥0.44522
20,000:¥0.41471
参考库存:24926
FDG6335N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FDG6335N
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.582
参考库存:12428
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