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晶体管

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FS225R17KE3

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数量单价合计
4
¥3,550.3922
14201.5688
8
¥3,336.4719
26691.7752
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
340 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.4 kW
封装 / 箱体
EconoPACK+
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
162 mm
宽度
150 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
4
子类别
IGBTs
零件号别名
FS225R17KE3BOSA1 SP000101745
商品其它信息
优势价格,FS225R17KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 300A
1:¥972.5684
5:¥953.4262
10:¥909.0172
25:¥889.8863
参考库存:4589
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
1:¥1,640.534
5:¥1,601.0405
10:¥1,561.3097
25:¥1,539.4103
参考库存:4541
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
2,500:¥2.0566
参考库存:20868
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥17.515
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
2,500:¥7.9891
5,000:查看
参考库存:27410
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:29252
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